Termes du glossaire :

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Temps d'accès :
Caractéristique d'un dispositif de stockage exprimant la durée nécessaire pour communiquer avec l'appareil en question. Pour les disques durs, le temps d'accès est déterminé par l'addition du temps moyen de mise en rotation, du temps de recherche, du temps d'exploration et du temps de transfert.

ABL (All Bit Line) :
La mémoire ABL (All Bit Line) a été présentée par SanDisk à l'édition 2008 de l'ISSCC (International Solid State Circuits Conference) ; elle s'avère être une mémoire nettement plus rapide que la mémoire « traditionnelle ». Tandis que la mémoire classique utilise, pour les opérations courantes, les cellules d'un canal mot (WL, Word Line) sélectionné l'une après l'autre, cette nouvelle technologie les sollicite toutes simultanément. Comparée aux puces électroniques classiques, cette architecture all bit line (ABL) améliore les performances d'au moins 100 %. D'autres fonctionnalités permettent d'obtenir des performances plus élevées encore.

AFM:
Les technologies Adaptive Flash Management (AFM, gestion flash adaptative) de SanDisk contribuent à améliorer les capacités NAND. AFM comprend des technologies telles que ExtremeFFS^™ (gestion flash basée sur une page), l'architecture All Bit Line (ABL) et des mesures d'endurance.

Angström (Å) :
Unité de mesure linéaire équivalent à 10 puissance -10 mètres. Le diamètre d'un cheveu humain mesure environ 750 000 Å.

Matrice :
En lithographie, répétition de motifs sur un emporte-pièce, comme pour une multitude de cellules de mémoire.

Standard ATA 8 :
Le standard ATA 8 est conçu pour prendre en charge la commande de gestion d'ensemble de données. Cette commande permet d'activer la fonctionnalité TRIM

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Bloc défectueux :
Bloc comportant des défauts de conception ou devenu inutilisable avec le temps.

Gestion des blocs défectueux
Méthode permettant de marquer et d'isoler les blocs défectueux, de manière à ce qu'ils ne soient pas utilisés. Cette méthode permet de stocker les données destinées à être envoyées dans les blocs défectueux dans des blocs de rechange.

Bit :
Unité d'information de base.

Bloc :
Division physique d'un message, constituée de séquences d'octets ou de bits, présentant une taille nominale (longueur du bloc) destinée au transfert de messages. La division et l'envoi de données dans des blocs sont des procédés quasiment universels, utilisés pour le stockage de données sur des bandes magnétiques à 9 pistes, sur un support rotatif tel que les disquettes, les disques durs, les disques optiques et la mémoire flash NAND. Avec la mémoire flash NAND, un bloc définit la plus petite unité pour la suppression de données. Dans un disque dur, un bloc constitue l'intersection entre une piste et un secteur. Son adresse est déterminée par le numéro du cylindre, la tête du disque et le secteur (CHS).

Bore :
Élément chimique représenté par le numéro atomique 5, utilisé pour le dopage de silicone du canal P.

Octet :
Unité de mesure des données, composée de 8 bits.

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Canal
Conduit pour le courant d'un TECSOM entre les semi-conducteurs de type N ou de type P.

Transistor de mémoire à piégeage de charge :
Stocke la charge (électrons) dans une grille flottante.

Circuit :
Association d'éléments et de composants électriques destinés à une fonction précise.

Salle blanche :
Dans le domaine de la fabrication, zone fermée d'une catégorie particulière, limitant les risques de contamination et contrôlant l'humidité, la température et les particules présentes dans l'air.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor, semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire) :

Processus de fabrication intégrant les transistors MOS du canal P et du canal N dans le même substrat de silicone.

Cristal :
Solide homogène formé par une structure répétitive en trois dimensions d'atomes, d'ions, ou de molécules, dont les différentes parties qui le constituent sont séparées par une distance fixe, souvent caractérisé par des faces externes planes.

Cylindre :
Terme désignant toutes les pistes accessibles sur un disque dur sans que la tête n'ait à se déplacer.

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Fiabilité des données
Capacité d'un système ou d'un composant à réaliser les tâches pour lesquelles il a été conçu, dans les conditions prévues et pendant une durée spécifiée. Des tests spécifiques (qualification) sont réalisés dans le but de prévoir les performances d'un produit au cours de son cycle de vie.

Conservation des données :
Durée maximale au cours de laquelle les données écrites peuvent être récupérées à partir de la mémoire rémanente.

Défaillance :
Irrégularité chimique ou structurelle d'un cristal, dégradant sa structure normale ou les films fabriqués sur la tranche.

Matrice :
Association de circuits intégrés avec une fonction définie, imprimés par centaines sur une tranche de silicone. Une matrice nue est une matrice sans boîtier.

Diélectrique :
Isolateur utilisé pour décrire les éléments non métalliques et leurs interactions avec des champs électriques, magnétiques ou électromagnétiques, y compris le stockage d'énergie électrique et magnétique et sa dissipation. De nombreux phénomènes électroniques, optiques ou relevant de l'état solide peuvent être décrits à l'aide de constats tirés de l'observation de diélectriques.

Erreur de perturbation :
Erreur inversant la valeur d'un bit au cours d'une opération de lecture ou d'écriture.

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EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, mémoire morte effaçable électriquement et programmable) :
Il s'agit de la première version de mémoire rémanente.

Encapsulation :
Processus d'emballage d'une matrice avec des circuits, afin de la protéger de perturbations d'ordre mécanique ou environnemental.

Endurance :
Nombre de cycles d'écriture/de suppression qu'une mémoire flash est en mesure de réaliser sans compromettre la fiabilité des données.

TMesure d'endurance
SanDisk a développé le premier système de mesure de l'industrie exprimant le volume de données pouvant être écrit sur un disque SSD au cours de sa durée de vie par un chiffre simple et précis (auparavant appelé « endurance de données à long terme »). La spécification de mesure a été développée par SanDisk et soumise à JEDEC en tant que point de repère pour les utilisateurs, afin qu'ils puissent comparer l'endurance des données de disques SSD de différents fabricants. Se basant sur l'activité d'un utilisateur final type, cette mesure procure le nombre total d'écritures de données, exprimé en téraoctets écrits (TBW, Terabytes Written) pouvant être réalisées au cours de la durée de vie du disque SSD. Les données sont écrites à un taux constant tout au long de la durée de vie du SSD, avec une répartition des écritures suivant un volume de transfert classique pour les PC. Les données sont conservées pendant au moins un an après expiration des téraoctets écrits. Sur la base de mesures internes à SanDisk, un PC client écrit en moyenne 4 Go/jour.

EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory, mémoire morte reprogrammable) :
Il s'agit d'une ancienne version de mémoire rémanente.

Détection d'erreur/Code de correction (EDC/ECC)
Codes détectant et corrigeant les erreurs en reproduisant les données d'origine à l'aide de bits supplémentaires, et augmentant la conservation des données.

Gravure :
Technique de micro fabrication permettant de retirer chimiquement des couches de la surface d'une tranche au cours de la fabrication. La gravure constitue un processus fondamental, répété plusieurs fois sur une tranche lors de nombreuses étapes, afin d'obtenir un résultat présentant le moins de défauts possible. Une partie de la tranche est protégée de l'agent de gravure par un masque résistant à ce processus. Dans certains cas, le masque est photo-résistant, afin d'être utilisé pour la modélisation en photolithographie. Dans d'autres cas, du nitrure de silicium est utilisé pour obtenir un matériau plus solide

ExtremeFFS™^*(système de fichiers flash Extreme)
La technologie ExtremeFFS™^* permet d'accélérer les performances d'écriture aléatoire et, par conséquent, d'améliorer l'endurance des disques SSD de SanDisk, installés sur des PC fonctionnant sous des systèmes d'exploitation tels que Windows XP et Windows 7. ExtremeFFS applique une nouvelle méthode de gestion flash sur la base des éléments suivants :

• Algorithme basé sur une page : la technologie ExtremeFFS utilise un algorithme basé sur une page sans couplage fixe entre ses emplacements physique et logique. Cela permet au disque SSD de SanDisk de stocker un secteur de données écrites à l'emplacement le plus pratique et le plus efficace.
• Architecture non bloquante : les canaux NAND fonctionnent indépendamment, en fonction des différentes activités de l'utilisateur, et se répartissent les tâches suivantes : lecture, écriture et collecte des informations parasites.

^*La technologie ExtremeFFS repose sur un algorithme de gestion flash basé sur une page de SanDisk, optimisé pour les systèmes d'exploitation les plus courants, et permet d'accroître de façon significative les vitesses d'écriture aléatoire des SSD et leur efficacité, d'où une accélération des performances et une plus grande endurance des SSD installés dans des PC.

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Usine de fabrication de puces :
Infrastructure de fabrication de tranches de semi-conducteurs.

Mémoire flash :
Mémoire à semi-conducteurs rémanente, composée de cellules d'architecture à 1 transistor. Le fonctionnement de cette mémoire consiste à stocker la charge dans le diélectrique de la grille. Une seconde grille sur le transistor permet de stocker des données et d'effacer simultanément des blocs de mémoire définis, par voie électronique.

Grille flottante :
Élément stockant la charge électrique pendant des périodes prolongées, même sans alimentation. Les électrons stockés dans la grille flottante sont détectés par la tension de seuil.

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Grille :
Électrode régulant le courant dans un transistor à semi-conducteurs à oxyde de métal (MOS).

Oxyde de grille :
Fine couche d'oxyde pur, sans défaut, obtenu de manière thermique. Elle sert de couche diélectrique dans un TECSOM entre le drain et la source.

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Tête (également appelée bras d'accès) :
Élément écrivant les données sur le plateau d'un disque dur, ou les lisant à partir de cette surface. Chaque tête est consacrée à un côté du plateau.

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Lingot :
Dans l'industrie des semi-conducteurs, matériau à base de silicone traité de manière à produire un cristal unique. Ce cristal est ensuite découpé et poli, de manière à obtenir les tranches sur lesquelles de nombreux appareils sont fabriqués, des microprocesseurs aux dispositifs de mémoire.

Entrées/sorties par seconde (IOPS) :
Calcul du nombre d'opérations (ex : lecture ou écriture) réalisées par seconde. Lorsqu'il accède à des fichiers aléatoires, un disque SSD obtient un taux d'entrées/sorties par seconde plus élevé qu'un disque dur.

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JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council, organisation de standardisation des semi-conducteurs)
L'un des principaux organismes faisant autorité en matière de normes dans l'industrie du SSD, comptant plus de 3000 membres et soutenu par 295 entreprises, qui interviennent dans 50 commissions.

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Latence :
Délai nécessaire avant qu'une opération puisse être effectuée.

Niveau :
Méthode logique utilisée pour définir la valeur analogique d'un bit. 1 bit requiert 2 niveaux.

Lithographie :
Abréviation de photolithographie, technique de micro fabrication utilisée pour concevoir la structure de circuits intégrés et de systèmes micro-électromécaniques. Ce terme est inspiré de l'univers de l'imprimerie ; qu'il s'agisse de texte ou d'œuvre d'art, la lithographie fait référence à l'utilisation d'huile ou de graisse et de gomme arabique. Cette technique consiste à diviser une surface lisse en différentes parties destinées à recevoir l'encre, tandis que les parties hydrophiles la rejettent, formant ainsi l'arrière-plan.

Adressage par bloc logique (LBA, Logical Block Address) :
Schéma d'adressage numérotant les blocs de manière linéaire et non selon les numéros du cylindre, de la tête et des secteurs (CHS). L'adressage par bloc logique remplace généralement le schéma d'adressage par bloc classique, bien que les deux puissent être pris en charge par les disques SSD et les disques durs actuels.

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Masque :
Plaque de verre ou de quartz contenant l'image photographique de structures de tranches, permettant de définir une couche unique pour le processus. Le masque est exposé sur une couche photosensible et couvre la surface de la tranche pour exposer ou cacher les zones sélectionnées, face à divers processus de fabrication.

Intervalle moyen entre les défaillances (MTBF, Mean Time Between Failures)
Durée moyenne avant qu'une défaillance ne se produise.

Intervalle moyen avant défaillance (MTTF, Mean Time To Failure)
Durée moyenne avant que la première défaillance ne se produise. Mesure utilisée dans les systèmes dans lesquels la première défaillance est généralement fatale.

Cellule de mémoire :
Intersection entre un canal bit et un canal mot, identifiant l'emplacement dans lequel les données sont stockées.

TECSCOM (MOSFET pour Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, transistor à effet de champ à grille métal-oxyde) :
Dispositif utilisé pour amplifier ou permuter les signaux électroniques. Il s'agit du transistor à effet de champ le plus largement répandu dans les circuits numériques comme analogiques. Un TECSCOM est composé d'un matériau semi-conducteur à canal de type N ou de type P

Micromètre :
Unité de mesure linéaire équivalent à un millionième de mètre, ou 10 000 angströms.

Loi de Moore :
Cette loi, basée sur des prévisions énoncées en 1965, affirme que la densité des transistors double dans un intervalle allant d'un an et demie à 2 ans. Elle explique ainsi la miniaturisation des circuits intégrés.

Cellule multiniveaux (MLC, Multi Level Cell) :
Une seule cellule stocke plusieurs bits ; ex : D2, D3, x4.

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Technologie d'accélération nCache™1
nCache™ acceleration technology is a large Non Volatile Write Cache, a unique feature in SanDisk SSDs that improves random write performance and ensures an improved user experience. Studies show that modern operating systems mostly access the storage device using 4k access blocks. The cache is filled during these small write commands and emptied during idle time when the host is not accessing the drive, with no risk of data loss. For a typical everyday use, the write performance that the users see is the nCache™ (burst) high performance, and not steady state (sustained) SSD performance. Based on IOmeter 4K random write test

Mémoire flash NAND :
Mémoire rémanente permettant un accès séquentiel aux cellules de mémoire, utilisant de la silicone. Idéal pour le stockage de données de masse, cette mémoire est plus efficace que la technologie flash NOR, présente un prix par gigaoctet réduit et une vitesse d'écriture plus rapide.

Mémoire rémanente (NVM, Non-Volatile Memory) :
Type de mémoire conservant les données même en l'absence d'alimentation.

Flash NOR :
Mémoire rémanente permettant un accès direct à chaque cellule de mémoire, utilisant de la silicone. Idéale pour le stockage de code, cette mémoire, moins efficace que la technologie flash NAND, présente un prix par gigaoctet plus élevé, une vitesse d'accès aléatoire rapide mais une vitesse d'écriture réduite.

Type N :
Matériau semi-conducteur doté d'une charge négative et d'un excès d'électrons.

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Programmable une seule fois (OTP)
Mémoire ne pouvant être écrite qu'une seule fois et ne pouvant pas être effacée, sans limites de lectures.

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Page :
Plus petite unité d'écriture en mémoire flash NAND.

Plateau :
Disque tournant utilisé dans un disque dur. Les données sont écrites par la tête de haut en bas de la surface du plateau.

Classes énergétiques :
Les budgets énergétiques sont d'une importance capitale pour les plates-formes informatiques portables. Le disque i100 de SanDisk prend en charge les classes énergétiques permettant de limiter les performances du disque SSD et donc la consommation d'énergie. Cela offre une flexibilité optimale entre consommation d'énergie et performances aux fabricants OEM qui peuvent ainsi profiter des nombreux avantages des disques SSD même lorsque des performances maximales ne sont pas nécessaires.

Carte de circuit imprimé (PCB)
Carte composée de diélectriques spécifiques et de matériaux isolants à bas prix, destinée à prendre en charge mécaniquement et connecter les composants électroniques. Une carte de circuit imprimé utilise des voies d'accès conductrices ou des traces, gravées à partir de feuilles de cuivre stratifiées sur un substrat non-conducteur.

Type P :
Matériau semi-conducteur doté d'une charge positive et d'une insuffisance d'électrons, généralement obtenu par dopage de bore.

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Accès aléatoire :
Capacité d'accéder à tous les éléments de manière séquentielle sans ordre défini, au cours de la même durée.

Mémoire vive (RAM)
Mémoire volatile pouvant être lue/écrite à partir d'emplacements aléatoires, dans un ordre arbitraire.

Fiabilité :
Probabilité qu'un produit exécute les tâches pour lesquelles il a été conçu; dans des conditions prévues et pendant une durée spécifiée.

Tours par minute (RPM) :
Méthode de mesure de la vitesse d'un disque dur, sur la base du nombre de tours par minute effectués par celui-ci.

 

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SATA uSSD^™ :
Un standard SATA-IO pour les disques SSD intégrés. La spécification SATA µSSD^™ supprime le connecteur de module de l'interface SATA classique, ce qui permet aux développeurs de concevoir une implémentation SATA monopuce pour les applications de stockage intégrées. Ce standard est utilisé sur le périphérique de stockage intégré SanDisk^® iSSD^™ .

Secteur :
Élément en forme de part de gâteau sur le plateau d'un disque dur, contenant la zone adressable minimale à partir de laquelle les données peuvent être écrite ou lues

Temps de recherche :
Temps nécessaire à la tête d'un disque dur pour atteindre la piste souhaitée.

Semi-conducteur :
Matériau solide présentant des caractéristiques électriques entre le conducteur et l'isolant.

Silicone :

Élément du tableau périodique utilisé pour la fabrication de semi-conducteurs.

Cellule à niveau unique (SLC, Single Level Cell) :
Une seule cellule stocke un seul bit.

Séparation :
Processus consistant à découper une tranche en plusieurs matrices séparées

Temps moyen de mise en rotation :
Temps requis pour accélérer le disque dur, afin qu'il gagne en vitesse.

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Tension de seuil :
Tension détectant les électrons présents dans la grille flottante, et agissant comme tension de grille pour permettre au courant de passer.

Piste :
Cercle fin et concentrique sur la surface du plateau d'un disque dur, utilisé pour identifier l'emplacement des données.

Transistor :
Semi-conducteur utilisé comme amplificateur ou commutateur contrôlé par le courant électrique. Il représente le matériau de base pour les circuits des ordinateurs, téléphones portables et autres appareils électroniques modernes. Un transistor est fait à partir d'un matériau semi-conducteur, doté d'au moins trois terminaux pour la connexion à un circuit externe. La tension ou le courant appliqué à deux des terminaux modifie le flux du courant au travers d'une autre paire de terminaux. La puissance contrôlée pouvant être bien plus importante que la puissance de contrôle, le transistor réalise une amplification des signaux.

Charges piégées :
Charges piégées dans l'oxyde de grille, faisant partie intégrante du processus activant la mémoire rémanente.

TRIM :
La fonctionnalité TRIM contribue largement à améliorer les performances d'un produit, en informant le disque SSD d'un espace non utilisé et en lui permettant de continuer à gérer ses ressources et à conserver des performances optimales tout au long de sa durée de vie.

Tunneling :
Phénomène physique dans lequel des électrons passent dans une couche isolante ou dans un vide entre deux conducteurs. Le tunneling constitue la base des opérations d'écriture et de lecture de la mémoire flash NAND.

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Mémoire volatile :
Type de mémoire perdant ses données une fois l'alimentation coupée.

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Tranche :
Fine plaque à faces parallèles, découpée à partir d'un cristal semi-conducteur tel que le cristal de silicone. Une tranche de silicone est préparée à partir de lingots de silicone.

Ajustement :
Technologie empêchant l'usure de blocs spécifiques afin d'étendre la durée de vie de la mémoire flash ; elle consiste à répartir les données de manière homogène, grâce à des cycles d'écriture et de lecture répétés sur tout le support flash. L'ajustement est particulièrement adapté aux systèmes de fichiers classiques (ex : système de fichiers DOS FAT) et aux algorithmes de gestion de fichiers, qui écrivent ou effacent des données sur des emplacements identiques de manière répétée.

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Rendement :
Pourcentage de matrices utilisables sur une tranche, par rapport au nombre total de matrices.